氮化硅基板是一種高性能的陶瓷基板材料,它以其高強(qiáng)度、高導(dǎo)熱性、耐高溫、高耐磨性、抗氧化、低熱膨脹系數(shù)和抗熱震性能而著稱(chēng)。這些特性使得氮化硅基板在大功率半導(dǎo)體器件中有著廣泛的應(yīng)用,尤其是在需要高熱導(dǎo)率和良好機(jī)械性能的場(chǎng)合,隨著第三代半導(dǎo)體的快速發(fā)展,氮化硅基板在未來(lái)的電子器件制造領(lǐng)域具有巨大的發(fā)展?jié)摿褪袌?chǎng)機(jī)遇。
規(guī)格：
1.基板厚度:流延基板0.25-0.635 mm,干壓厚度可定制:
2.基板尺寸: 依據(jù)客戶(hù)需求,長(zhǎng)寬在200 mm以?xún)?nèi)的標(biāo)準(zhǔn)品和異形品均可以定制。
主要性能指標(biāo)：
測(cè)試項(xiàng)目 | 標(biāo)準(zhǔn) | |
測(cè)試條件 | 限值 | |
體積密度 | ≥3.22g/cm3 | |
表面粗造度 | 0.2~0.4μm | |
吸水率 | 0% | |
抗折強(qiáng)度 | ≥800Mpa | |
熱膨脹系數(shù) | 20~300℃ | 2.7*10-6K-1 |
熱導(dǎo)率 | 25℃ | ≥70W/(m·K) |
擊穿強(qiáng)度 | 20℃ | ≥15KV/mm |
電阻率 | 20~300℃ | ≥1*1014Ω·cm |
介電常數(shù) | 8~10 | |
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